دیتاشیت MMBT9012G-I-AE3-R
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | MMBT9012G-I-AE3-R |
|---|---|
| حجم فایل | 47.419 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 3 |
دانلود دیتاشیت MMBT9012G-I-AE3-R |
MMBT9012G-I-AE3-R Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
- Datasheet: UTC(Unisonic Tech) MMBT9012G-I-AE3-R
- Transistor Type: PNP
- Operating Temperature: +150°C@(Tj)
- Collector Current (Ic): 500mA
- Power Dissipation (Pd): 225mW
- Transition Frequency (fT): -
- DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 190@50mA,1V
- Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 180mV@500mA,50mA
- Package: SOT-23
- Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)
